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本发明属于碳化硅制备技术领域，提供了一种纳米碳化硅的制备方法。本发明的含硅碳前驱体十甲基环五硅氧烷在氢等离子体和氩等离子体的环境下，发生裂解，产生碳化硅气体；碳化硅气体经急冷，能够保证得到小尺寸的纳米碳化硅。同时，十甲基环五硅氧烷中碳元素、...
该专利属于浙江大学衢州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学衢州研究院授权不得商用。

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