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一种晶体管及其和沟道层制作方法，属于薄膜晶体管领域。晶体管包括：衬底，源漏电极，沟道层，介质层以及栅电极。并且沟道层包括：依次分布的第一低阻层、高阻层和第二低阻层。其中，第一低阻层与源漏电极接触，第二低阻层与介质层接触。高阻层的电阻率大于第...
该专利属于松山湖材料实验室所有，仅供学习研究参考，未经过松山湖材料实验室授权不得商用。

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