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实施例揭示一种沟槽栅极式半导体装置及其形成方法，其中该沟槽栅极式半导体装置包括具有一沟槽形成于内的一外延层。一栅极电极设置于沟槽的一上部，且一遮蔽介电层顺沿着沟槽的一下部的一侧壁表面及一下表面延伸，且遮蔽介电层的一上表面由栅极电极所覆盖。一...
该专利属于新唐科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新唐科技股份有限公司授权不得商用。

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