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本发明公开了一种非易失性存储器控制栅极字线的加工方法，待加工的晶片已形成控制栅极，所述控制栅极的顶部由氮化硅构成；在所述晶片上表面沉积第一层多晶硅薄膜；在所述第一层多晶硅薄膜的上表面沉积氧化物隔离层，并在外围电路区的氧化物隔离层上覆盖光刻胶...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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