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本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种外延结构及其制备方法，该外延结构包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的低温GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层及P型GaN层，所述有源层包括依次层叠的第一超晶格层、第二超晶格层...
该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。

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