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本发明公开了一种改善超厚膜外延背面多晶粘连的工艺，其改善的方法包括以下步骤：S1、首先需要进行实时准备好相应的晶圆和与晶圆相适配的基座，通过进行实时优化基座的设计，从而使晶圆在与基座接触时，改变晶圆与基座接触的角度，以及进行优化基座与晶圆的...该专利属于中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种改善超厚膜外延背面多晶粘连的工艺，其改善的方法包括以下步骤：S1、首先需要进行实时准备好相应的晶圆和与晶圆相适配的基座，通过进行实时优化基座的设计，从而使晶圆在与基座接触时，改变晶圆与基座接触的角度，以及进行优化基座与晶圆的...