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本发明提供一种新型P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括对P型单晶硅片的正面制绒，和形成磷摻杂面，制备选择性发射极；且采用单卡位单插的方式放置，在P型单晶硅片的正面和背面同时形成AlOx层，然后在背面沉积SiNx层，以及在背面采用刻蚀浆料开孔...
该专利属于苏州腾晖光伏技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州腾晖光伏技术有限公司授权不得商用。

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