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本发明公开了一种适用于离子注入且有效防止正面污染的工艺方法，涉及半导体生产技术领域，本发明包括S1、选取硅片并对硅片进行热氧，使其正反两面均形成一层二氧化硅；S2、在硅晶片的背面进行涂光阻处理；S3、涂完光阻后进行过度烘烤处理；S4、将硅晶...
该专利属于浙江芯科半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江芯科半导体有限公司授权不得商用。

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