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本发明提供一种局部有序的半导体型碳纳米管薄膜及其制备方法，通过采用含有偶氮苯结构的共轭聚合物提纯半导体型碳纳米管，在此基础上，结合有机溶剂形成的气氛下进行薄膜的沉积，控制形成局部有序、高密度、均匀的薄膜，再将半导体碳纳米管上包裹的聚合物去除...该专利属于北京大学北京元芯碳基集成电路研究院北京华碳元芯电子科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学北京元芯碳基集成电路研究院北京华碳元芯电子科技有限责任公司授权不得商用。