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一种柱凸块结构及其形成方法，包括在半导体衬底上形成覆盖衬里，接着形成包括贵金属的籽晶层。在籽晶层直接上方形成第一光致抗蚀剂层，随后在光致抗蚀剂层内形成第一多个开口。在第一多个开口的每一个内沉积第一导电材料以形成第一柱凸块。从半导体结构去除第...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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