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本发明公开了一种金属微纳结构的制备及转印方法，包括以下步骤：S1、采用旋涂设备在洁净的单晶硅表面涂覆形成掩膜层；S2、采用机械刻划设备在经步骤S1处理后的单晶硅表面进行刻划（图案化）；S3、采用混合镀液在单晶硅表面进行金属定向沉积，沉积完成...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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