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本发明公开了一种监控调配三氯氢硅氢还原多晶硅生长方法，具体步骤如下：S1、将二氯二氢硅送入汽化器进行系统压力下的饱和汽化工作处理，通过管道将其输送至过热器达到系统压力下的过热状态；S2、随后将符合高纯多晶硅制备等级要求的氢气、三氯氢硅与加热...
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