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本发明公开了一种提高p型III族氮化物材料空穴浓度的方法及其应用。所述的方法包括：在p型III族氮化物材料生长过程中和/或生长完成后，使所述p型III族氮化物材料与卤素基活性原子和/或卤素基活性基团接触反应，以移除所述p型III族氮化物材料...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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