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本发明揭示了一种用于薄膜沉积的炉管，包括：工艺管；晶舟，设置于工艺管内部，晶舟沿工艺管的长度方向上设置有多层支撑件；供气管，设置于工艺管内部，供气管沿工艺管的长度方向上设置有多层供气孔；工艺管的侧壁沿其长度方向上设置有多层排气孔；其中，供气...该专利属于盛帷半导体设备（上海）有限公司盛美半导体设备韩国有限公司清芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过盛帷半导体设备（上海）有限公司盛美半导体设备韩国有限公司清芯科技有限公司授权不得商用。