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本发明提供一种多量子阱层及其制备方法、外延片及发光二极管，所述多量子阱层包括周期性层叠设置的量子阱层和垒层；其中，所述垒层包括依次层叠设置在所述量子阱层上的第一插入层、量子垒层以及第二插入层，所述量子阱层为Al
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该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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