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本发明公开了一种二类超晶格红外探测器及其制备方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底；第一颜色通道层，包括第一P型电子势垒层；N型公共电极层，N型公共电极层设置于第一颜色通道层上；第二颜色通道层，包括第二P型电子势垒层，第二颜色...
该专利属于山西创芯光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西创芯光电科技有限公司授权不得商用。

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