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本发明公开了一种防止Micro LED芯片侧壁损伤的加工方法，采用N2气等离子技术处理micro LED芯片GaN、MQW台阶侧壁，去除被污染区域；同步利用原子沉积技术生长致密的复合AL2O3和SiN膜层，防止后续工序中水氧对GaN侧壁的污...
该专利属于深圳市芯视佳半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市芯视佳半导体科技有限公司授权不得商用。

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