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本申请涉及半导体领域，公开了一种SPAD阵列制备方法，包括在衬底表面沉积第一介质层和第二介质层；在第二介质层表面涂覆图形化光刻胶；刻蚀第二介质层形成图形化第二介质层；利用图形化第二介质层和图形化光刻胶的遮挡，对衬底进行掺杂形成PN结；烧结图...
该专利属于上海灵昉科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海灵昉科技有限公司授权不得商用。

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