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本发明涉及一种柱状P沟道的碳化硅浮动结二极管及制备方法，碳化硅浮动结二极管为圆柱型结构，包括：N型衬底、有源区N漂移区、终端区、若干P型浮动结、P型沟道区和若干P型重掺杂区，有源区N漂移区位于N型衬底上；终端区形成在有源区N漂移区中且环绕若...
该专利属于陕西半导体先导技术中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西半导体先导技术中心有限公司授权不得商用。

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