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本发明提供一种晶圆切割方法，包括：提供晶圆，晶圆包括衬底和位于衬底上的电路层；采用激光切割预设宽度的电路层暴露出衬底，形成第一沟槽；采用刀片切割第一沟槽两侧的部分宽度的电路层和刀片下方的衬底形成第二沟槽，刀片在晶圆上的投影覆盖第一沟槽，刀片...
该专利属于豪威半导体（上海）有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过豪威半导体（上海）有限责任公司授权不得商用。

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