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本发明公开了一种提升ＳＯＮＯＳ数据保持能力的单晶硅无损伤隧穿窗口集成方法；包括以下步骤：隧穿窗口干法刻蚀；隧穿窗口采用磷元素进行沟道注入；高温退火，修复离子注入对衬底的损伤；隧穿窗口氧化膜湿法刻蚀，采用含氢氟酸作为对衬底表面无损伤的湿法药液...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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