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本发明公开了一种超级结ＭＯＳＦＥＴ的制作方法，其在对沟槽进行填充的时候，先利用外延工艺将Ｐ－型外延填入沟槽，然后利用多晶硅将沟槽填满；之后完成后续的工艺步骤。本发明中Ｐ－薄层结构是通过Ｐ－型外延先填入沟槽，再利用多晶硅将沟槽填满，可以利用多...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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