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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底层，基底层包括电容区；在电容区中，在基底层的顶部形成第一极板；在基底层的顶部和第一极板的顶部形成绝缘层，绝缘层包括叠层结构的主介电层和电场调节层，电场调节层的介电常数大于主介电层的介电常数，其中...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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