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本发明通过将二维材料MXene的技术与半导体材料技术结合，得到一种新的抗光腐蚀纳米棒阵列光阳极材料，该材料能够提高光生载流子传输速率、抑制载流子重组，提升光电性能。具体地，本发明提供了一种新型抗光腐蚀纳米棒阵列光阳极的制备方法，其特征在于，...
该专利属于上海电力大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海电力大学授权不得商用。

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