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本发明涉及磁存储领域，具体为一种磁存储单元结构。本发明以交换偏置插层结构铁磁层/超薄金属插层/反铁磁层结构替代目前SOT
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该专利属于上海麦歌恩微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海麦歌恩微电子股份有限公司授权不得商用。

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