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本发明公开了一种基于Mg离子掺杂非晶Y2O3薄膜的高存储窗口忆阻器及其制备方法和应用，属于非易失性存储器领域。该高存储窗口忆阻器的制备步骤如下：在合适的非导电衬底上沉积金属导电薄膜作为高存储窗口忆阻器的下电极；采用溅射方式在下电极上沉积Mg...
该专利属于陕西科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过陕西科技大学授权不得商用。

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