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本发明属于微电子技术领域，涉及金属氧化物不挥发存储器技术，具体涉及一种ＷＯｘ基电阻型存储器及其制备方法，该ＷＯｘ基电阻型存储器包括上电极、钨下电极、以及设置在上电极和钨下电极之间的ＷＯｘ基存储介质，所述ＷＯｘ基存储介质是通过对覆盖在钨下电极...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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