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本发明提供一种GaN基器件欧姆接触的制备方法，包括：提于衬底上形成GaN基外延结构；于GaN基外延结构上形成绝缘层，并进行图形化；于绝缘层上沉积金属层；于金属层上形成光阻层，并进行图形化；采用干法刻蚀工艺去除未被光阻层遮挡的金属层，剩余金属...
该专利属于华润微电子（重庆）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子（重庆）有限公司授权不得商用。

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