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本公开涉及蚀刻组成物，其用于例如自半导体基板选择性地去除硅锗(SiGe)，作为多步半导体制造制程中的中间步骤。体制造制程中的中间步骤。
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该专利属于富士胶片电子材料美国有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富士胶片电子材料美国有限公司授权不得商用。

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