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在本发明中，公开了一种制造叉指背接触(IBC)光伏设备(1)的方法，该方法包括以下步骤：提供作为n型或p型掺杂的第一型掺杂的衬底(2)；在背侧(2b)上实现半导体掺杂结构(6)，该半导体掺杂结构包括第一型掺杂的单独掺杂层部分(6
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该专利属于迈尔博尔格（德国）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过迈尔博尔格（德国）有限公司授权不得商用。

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