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一种磁性存储器件，包括磁性隧道结(MTJ)柱，该磁性隧道结(MTJ)柱包含稳定谐振合成反铁磁(SAF)参考分层结构(10)，其中该SAF参考分层结构(10)的极化磁性层(20)的铁磁谐振特性基本上与该SAF参考分层结构(10)内的至少第一磁...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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