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本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过深蚀刻所述外延叠层至裸露所述衬底表面，形成通过沟道相互间隔排布的若干个LED单元；接着，沉积第一电极和第二电极，所述第一电极层叠于所述凹槽，所述第二电极层叠于所述台面；接着，在所述沟道内预留划片道...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。

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