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本发明提供了一种波导型锗探测器集成工艺方法，硅片热氧化后，利用LPCVD沉积氮化硅，并制作氮化硅波导，再通过选择性锗外延工艺直接在硅片上外延锗，完成氮化硅波导和锗探测器集成。本发明通过在LPCVD氮化硅层中开窗暴露硅衬底和实现锗外延，解决了...
该专利属于苏州希卓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州希卓科技有限公司授权不得商用。

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