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本发明公开了一种修复浅沟道隔离槽边角损伤的方法,用于制作浅沟道隔离槽的过程中,其特征在于,在利用化学机械抛光去除沉积的氧化层之后,通过湿法刻蚀去除所述氮化物层之前,该方法进一步包括:对浅沟道隔离槽进行高温氧化处理。本发明提供的修复浅沟道隔离...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种修复浅沟道隔离槽边角损伤的方法,用于制作浅沟道隔离槽的过程中,其特征在于,在利用化学机械抛光去除沉积的氧化层之后,通过湿法刻蚀去除所述氮化物层之前,该方法进一步包括:对浅沟道隔离槽进行高温氧化处理。本发明提供的修复浅沟道隔离...