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本申请属于半导体技术领域，提供了一种共源共栅型氮化镓器件及其制备方法、芯片，通过在P型半导体衬底上形成第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、P型重掺杂区、源极金属层、接触金属层、隔离层以及第一栅极金属层，进而形成MOS器件，由接触金属层、漏极...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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