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本发明涉及半导体蚀刻工艺领域，尤其涉及一种蚀刻组合物。一种蚀刻组合物，包括氢氧化铵的衍生物、氧化剂、含氟蚀刻剂、有机溶剂、腐蚀抑制剂和水。本发明蚀刻组合物不但特别适用应用于湿法蚀刻钼及氮化钛，且能够调节对钼/氮化钛的蚀刻选择性；采用了本发明...
该专利属于安集微电子科技（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安集微电子科技（上海）股份有限公司授权不得商用。

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