温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种偏移检测结构及其制备方法。该偏移检测结构中,通过在至少一个衬底的对位区内形成通孔而构成检测通道,该检测通道在对位区穿透至少一个衬底,从而可通过该检测通道识别到第一衬底上的第一对位图形和第二衬底上的第二对位图形,进而检测出第一...该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种偏移检测结构及其制备方法。该偏移检测结构中,通过在至少一个衬底的对位区内形成通孔而构成检测通道,该检测通道在对位区穿透至少一个衬底,从而可通过该检测通道识别到第一衬底上的第一对位图形和第二衬底上的第二对位图形,进而检测出第一...