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本实用新型提供一种高静电防护能力的分离栅MOSFET器件，包括：重掺杂的第一导电类型硅衬底，在硅衬底上设有第一导电类型外延层；第一导电类型外延层背离硅衬底的表面为第一主面，硅衬底背离第一导电类型外延层的表面为第二主面；在第一导电类型外延层中...
该专利属于江苏临德半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏临德半导体有限公司授权不得商用。

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