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本公开提供了一种低功函数电极、半导体器件及其制备方法。本公开的低功函数电极，包括：低功函数材料层和保护层；其中，保护层通过在低功函数材料层之上沉积具有化学惰性或自限制氧化特性的材料而形成；低功函数材料层通过在衬底层上沉积低功函数材料而形成，...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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