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本发明公开一种利用注氧隔离技术、热内氧化技术制造绝缘体上硅晶片的生产工艺，其步骤包括：１．高温第一次注入氧离子，形成连续的氧离子富含层；２．低温下第二次注入氧离子，引入晶格缺陷层；３．在高温、高氧含量的氧氩气氛中进行热内氧化工艺，加速氧原子...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十八研究所授权不得商用。

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