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本发明公开了一种共晶键合深紫外发光二极管及其制备方法，方法包括以下步骤：在初始生长衬底上依次生长成核层、后续生长缓冲层、电化学腐蚀反应层和深紫外LED发光结构目标层，得到深紫外LED外延片；对深紫外LED外延片进行光刻，在深紫外LED发光结...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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