温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器，属于集成光子器件技术领域。所述逆向设计方法包括：将器件待优化区域均匀等分为一定大小的像素单元；在像素单元的中心刻蚀不同半径大小的空气柱，以改变设计区域的拓扑结构；定义品质因数描述...
该专利属于中国地质大学（武汉）所有，仅供学习研究参考，未经过中国地质大学（武汉）授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。