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本发明提供一种提高薄膜致密度一致性的CVD方法，属于集成电路制造领域。本发明的方法包括：间距调整步骤：调整第一下电极的位置，从而调整第一上电极和第一下电极之间的间距；预沉积步骤：通过第一加热装置和第二加热装置将第一晶圆和第二晶圆加热至初定温...
该专利属于江苏时代芯存半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏时代芯存半导体有限公司授权不得商用。

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