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本发明涉及一种硅通孔结构的缺陷监测结构及其监测方法。硅通孔结构的缺陷监测结构包括：半导体衬底、硅通孔结构、第一导线层、第二导线层及感应线圈；硅通孔结构包括第一硅通孔结构及第二硅通孔结构，第一硅通孔结构及第二硅通孔结构均包括硅通孔、介质层及导...该专利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））授权不得商用。