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一种四通带高选择性的频率选择表面结构及其单元结构制造技术
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文档序号:38002110
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本发明公开了一种四通带高选择性的频率选择表面单元结构,包括:由上至下依次设置的第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第一空气腔、第三金属层、第二介质基板、第二空气腔、第四金属层、第三介质基板和第五金属层;第一金属层和第二金属层位于第一介质基...
该专利属于西安电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学授权不得商用。
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