温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备工艺，MOSFET器件包括高浓度N型漏极及漏极金属，在高浓度N型漏极上设有低浓度的N型外延层，在N型外延层上方设有P型阱区，在P型阱区表面设有高浓度N型源极和高浓度P型源极，在N型外延层远...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。