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本发明公开了一种直插式的高集成度功率模块的封装结构，第一金属陶瓷绝缘导电基板与第二金属陶瓷绝缘导电基板之间设置有第一电容、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一铜片、第二铜片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、驱动芯片、自举二极管、第二...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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