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本发明公开了一种多效应耦合增强的光电传感器及其制备方法，包括二硫化钼层、金纳米颗粒、玻璃基底与多个氧化锌纳米棒，所述氧化锌纳米棒直立于所述玻璃基底上，所述金纳米颗粒附着在所述氧化锌纳米棒的侧壁上，所述二硫化钼层设置在所述多个氧化锌纳米棒上，...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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