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本发明涉及一种发光芯片及其制作方法，属于半导体器件技术领域。所述发光芯片依次包括衬底、连接第一电极的第一半导体层、光提取层、有源层和连接第二电极的第二半导体层；衬底中掺杂有铝，且衬底中铝的含量向生长侧递增；光提取层为氮化铝层，其靠近有源层一...
该专利属于中诚华隆计算机技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中诚华隆计算机技术有限公司授权不得商用。

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