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本申请涉及半导体技术领域，公开了一种LDMOS器件的制备方法及其结构，包括：提供一衬底，且在衬底上沉积外延层；在外延层上沉积第一HTO层；沉积SiN保护层覆盖第一HTO层，以形成初始场板区；光刻并刻蚀初始场板区，得到去除了非场板结构的目标场...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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